Plasma适配哪些工艺？ETCH/ALD/Pe-poly详解

Plasma废气处理方案广泛适配半导体多种工艺产生的可燃性废气。本文按工艺类型梳理Plasma的适配场景。

一、ETCH（刻蚀）工艺

废气特点

• 刻蚀过程中产生可燃性副产物

• 可能伴随腐蚀性气体成分

• 废气量与刻蚀设备数量相关

Plasma适配性

• 可燃成分通过电弧裂解处理

• 处理效率≥99.9%

• 如伴随粉尘，建议评估Plasma Wet

  
  

二、ALD（原子层沉积）工艺

废气特点

• 前驱体气体未完全反应的残余

• 废气呈脉冲式排放（随沉积循环）

• 成分可能包含可燃性前驱体

Plasma适配性

• 适应脉冲式废气波动

• 裂解残余前驱体

• 适合科研单位和量产线

  
  

三、Pe-poly（等离子聚合）工艺

废气特点

• 聚合工艺产生的有机可燃废气

• 废气成分相对复杂

Plasma适配性

• 高温裂解有机物

• 处理效率≥99.9%

• 成分复杂时可评估Local Scrubber组合方案

  
  

四、工艺适配速查表

五、关于盖斯帕克

盖斯帕克气体技术有限公司（GSPK）深耕特气系统行业16年，是国家高新技术企业，持有特种设备生产/安装许可证、防爆认证、GC-2行业准入、SEMI-S2等资质，参与特种气体行业标准编制。盖斯帕克Plasma适配ETCH/ALD/Pe-poly/CVD等多种工艺，处理效率≥99.9%，处理量100-3000 LPM，累计交付600+项目。

企业拥有14项+实用新型专利、8项+软件著作权，开发230+非标项目。布局全国30+城市办事处，能够快速响应各地客户需求。

如需了解工艺废气处理方案，可访问官网www.szgp.com.cn，或拨打热线400-900-9093。